La demanda del mercado de mayor densidad de potencia y menor coste en aplicaciones de iluminación comercial ha provocado que los fabricantes de semiconductores lleven la optimización hasta el límite. Por ejemplo, el nuevo STD11NM60N, que se beneficia de la segunda generación de tecnología MDmesh™ de ST, ofrece esta optimización con una RDS(on) de 450 m?. El valor de resistencia se reduce en hasta un 55% en comparación con la tecnología MDmesh previa, sin sacrificar el control de la dependencia de temperatura.
Además de reducir sustancialmente las pérdidas ON-state tras minimizar el valor de resistencia, el nuevo dispositivo de 600 V se caracteriza por un circuito de driver de energía optimizada que permite al MOSFET dirigir corrientes superiores con VGS inferior. De hecho, al mantener la misma extensión de umbral (2 V), el rango de VGS usado para controlar el STD11NM60N se ha reducido, optimizando así el drive y garantizando inmunidad al ruido que previene ante conmutación involuntaria.
El STD11NM60N destaca por una magnífica capacidad dv / dt de diodo, así como por un buen rendimiento ante avalancha, haciendo posible que los clientes mantengan las temperaturas operativas en un rango el rango de trabajo típico. Como resultado de la reducción de pérdidas de conducción y disipación de potencia, el nuevo MOSFET también contribuye a disminuir las dimensiones de los heat-sinks y ahorrar espacio de tarjeta.
El pequeño tamaño del chip, alojado en encapsulado DPAK / IPAK o TO-220PF, hace que este nuevo MOSFET de potencia sea una magnífica solución para aplicaciones de iluminación, como balastos electrónicos High Power Factor y balastos electrónicos de lámpara High Intensity Discharge (HID).